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              pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下變頻轉換器IC套片實現量產

              2022-07-20 來源:微波射頻網 字號:

              高度集成的IC套片可通過設計支持軟件輕松實現加速系統開發進度并提升系統性能

              日前在國際微波研討會上,村田旗下專注于半導體集成技術的pSemi® Corporation宣布兩款新型毫米波集成電路(IC)已進入量產準備階段,這兩款IC適用于5G基站、5G客戶端設備以及點對點無線電通信應用中的有源天線系統。除了8通道波束形成前端和雙通道上下變頻轉換器IC套片之外,pSemi還提供完整的工具和專業技術支持包,有助于簡化毫米波設計和開發。新款RF SOI IC套片是我們毫米波產品組合中的最新成員,這組業界最小尺寸的IC套片能夠提供n257、n258以及n260頻段的完整IF(中頻)至RF(射頻)解決方案。

               pSemi宣布首款毫米波波束形成器和上下變頻轉換器IC套片實現量產

              新款毫米波IC套片適用于5G基站、5G客戶端設備,以及點對點無線電通信應用中的有源天線系統。

              5G毫米波波束形成器和上下變頻轉換器IC套片

              pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示:“隨著n257頻段在全球成為5G主流頻段,pSemi非常樂于推出一系列毫米波產品和設計工具來支撐市場對這一頻段不斷增長的需求。pSemi在高頻半導體創新和制造方面歷史悠久,在毫米波解決方案領域擁有深厚的專業知識,且設施齊備,能夠打造性能和質量方面均值得客戶和合作伙伴信賴的毫米波解決方案。”

              歡迎瀏覽更多精彩內容,或點擊查看關于波束形成器和上下變頻轉換器的產品介紹。

              波束形成器和上下變頻轉換器IC的功能及優勢

              PE188200波束形成器IC(n257頻段)和PE128300上下轉換器IC(n257、n258頻段)擁有一系列功能及優勢,可為5G FR2系統設計人員提供極大的便利,其功能及優勢包括:

              •  最小的每通道設計尺寸——單片集成式RF SOI IC具有業界最小的尺寸,無需額外布線即可輕松用于構建大型陣列。

              •  完整的IF至RF設計覆蓋范圍——上下變頻轉換器可以與多達四個pSemi波束形成器配對,以支持大規模MIMO、混合波束形成和其他有源天線配置。

              此外,PE188200 8通道波束形成器IC能夠提供:

              •  靈活的天線設計——8通道波束形成器IC支持4個雙極化或8個單極性天線單元,以及擴展配置,以實現最佳陣列增益、等效全向輻射功率(EIRP)和天線方向性。

              •  波束形成精確度——所需EVM下的線性POUT具有低RMS相位和幅度誤差,可提高陣列增益和天線方向性,確保波束形成精確度。

              PE128300雙通道上下變頻轉換器IC能夠提供:

              •  高度集成的解決方案——業界首款雙通道上下變頻轉換器擁有最精致小巧的尺寸,能夠節省昂貴的空間。

              •  低功耗——業界一流的上下變頻轉換器IC低功耗性能,支持更高效的系統散熱管理。

              •  最大限度降低系統性能損害——最佳I/Q平衡和最小本振泄漏有助于提高EVM性能。

              完整的毫米波控制軟件

              除了樣品和評估套件(EVK)之外,pSemi還提供包含軟件工具和技術專業知識在內的完整支持包,幫助客戶快速熟練應用我們的波束形成器IC、上下變頻轉換器IC或兩者的陣列組合。

              •  圖形用戶界面(GUI)——軟件GUI能夠確保寄存器編程的正確操作,以達成高效的代碼實現。

              •  API集成——我們的GUI和API集成,能夠幫助您跨通道優化性能。通過在客戶特定代碼中嵌入pSemi軟件,有助于加快軟件開發和演示。

              •  全面的用戶手冊——每款產品均提供全面的用戶手冊,其中包含寄存器編程要求和操作細節。

              pSemi技術和質量優勢

              從樣機到批量出貨,pSemi提供的毫米波支持包中融合了公司在過去30多年積累的高頻半導體專業知識,具有能夠提供高性能、高集成和高可靠性支持的優勢。

              •  RF SOI創新——基于30多年的射頻集成電路(RFIC)設計創新,以及在經驗豐富的技術專家的支持下,能夠在業界最小的外形尺寸中實現最高水平的集成。

              •  專利和知識產權——作為RF SOI技術發明者,擁有1000多項專利,堅持致力于推動高頻半導體器件性能的發展。

              •  質量和可制造性——由深受業界信賴的供應商村田公司提供支持,村田在滿足最高可靠性和質量標準的大批量制造方面擁有成熟的經驗。

              更多信息

              這些分立的RFIC作為村田天線集成模塊的一部分,于2022年6月21日至6月23日在pSemi IMS #7078號展位上進行展示。

              欲了解有關波束形成器和上下變頻轉換器RFIC的更多信息,請聯系pSemi團隊。

              主題閱讀: 毫米波  5G
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